| トップページ > 製品情報 > エリプソメータ |
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| M-210型 レーザエリプソメータ | He-Neレーザ光源専用でエリプソメータをローコストで提供 |
| M-220型 分光エリプソメータ | 高性能、高速サンプリング、コストパフォーマンスを誇るエリプソメータを実現 |
| M-230型 紫外分光エリプソメータ | 紫外領域対応光学系により240nmからの測定が可能 |
| M-240型 近赤外分光エリプソメータ | 近赤外用分光器を搭載し切り換えで1700nmまでをカバー |
| M-550型 水平置分光エリプソメータ | 試料ステージが水平置きタイプの汎用膜厚測定システム |
| ELC-300型 液晶専用分光エリプソメータ | 20μsecの時間分解で液晶配向のダイナミクスを高感度に検出 |
| 革新的なPEMデュアルロックイン方式、光サーボ、光リファレンス制御 | |
| PEMデュアルロックイン方式は、電気的な偏光変調素子であ
るPEM(Photo Elastic Modulator)により高速変調(ω
=50kHz)された光を試料に照射し、反射光の偏光変化を、
ω(50kHz)信号、2ω(100kHz)信号を同時にロックインア
ンプで取り込むことで測定を行います。 PEMは透過窓板の屈折率を制御する素子であることから、 温度等の環境変化に敏感です。 日本分光では、温調機構に加え、独自の光サーボ、光リファレ ンスを採用し、環境変化に対する安定性を格段に向上させま した。光サーボは、PEMの変調状態を参照光学系によりモニ タし、一定の変調状態に制御することで、 1)測定波長に最適なPEM駆動電圧の自動設定 2)温度等の環境変動に起因するドリフトの補償 を実現しています。さらに光リファレンスはロックインアンプ の参照信号を参照光学系から生成するため、全波長で位相ズ レのない検波を可能にしています。これらの革新的な技術が あって初めて、PEMの持つ高いパフォーマンスを発揮するこ とができます。 |
![]() ■ PEM法の原理図 |
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![]() 膜厚や膜屈折率が未知の試料に対しては、ΔΨスペクトル を測定して基板のスペクトルと重ね書きをすると測定波長 の決定に役立ちます。また、干渉によるフリンジ波形が観測 されない波長域では膜表面のみからの反射光を測定して いるので膜厚に関する情報は得られず、複素屈折率の情報 のみが得られます。スペクトルを保存し多層膜モデル解析 ソフト(オプション)を併用すればスペクトル測定のメリット が生じ、解析力が向上します。 |
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| 自動X-θマッピングステージを用い膜厚と膜屈折率の面内分布を測定します。結果の表示にはカラーマップ、等高線図、鳥
瞰図が有り、視覚的に面内分布が分ります。 4インチ基板上のシリコン酸化膜の膜厚分布を示します。平均膜厚と平均屈折率はそれぞれ902Åと2.01と得られ、共に 中心部で高く、周辺部で低くなっています。計算条件を変更した膜厚値の再計算や左上図の測定点をマウスで指定して各 測定点の膜厚と膜屈折率の確認ができます。 |
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| ΔΨスペクトルを測定し、試料を記述する解析モデルを建 てて膜厚や屈折率スペクトルをフィッティングパラメータと して決定します。半導体、金属、誘電体について代表的な物 質のライブラリを備えており、このライブラリは測定や解析 の結果を登録して順次拡張することができます。中間層と して上下2つの媒質の有効媒質近似や表面ラフネス層を 導入して近似の精度を高めることができます。コーシーモ デル、ドルーデモデル、Tauc-Lorentzモデルなどのモデル 式を用いて屈折率スペクトルのプロファイルを拘束するこ とにより、20層までの多層膜に対しても強力な解析が可 能となります。 | ![]() 5層膜の解析例 |
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| 光学ガラスや液晶用フィルムなどが応力を受けた時に生じる小さな位相差を測定して、その勾配から光弾性定数を算出し
ます。セナルモン法では大きな荷重を加えなければ観測不能だった位相差を、逆正弦関数より算出するM-200シリーズで
は微小な荷重で観測可能です。 ガラスでは張力と圧力と2方向の外力印加が可能ですが、フィルムの場合には張力を加えて測定します。フィルムに対して は初期荷重、終荷重、ステップを設定した後、自動的に印加、測定、解析までを行う、光弾性測定用透過ステージとソフトウエ アをオプションで用意しています。 |
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![]() 可動部の無い電気的変調により、最小取込み20μsecからの高速サンプリン グが可能です。液晶ディレクタの電場に対する応答など、サブミリ秒でのダイ ナミクスの解析に威力を発揮します。 一般に配向膜界面の液晶分子は、アンカリングの影響を受けてバルク液晶と 電場に対する応答が異なります。この配向メカニズムを検証する上で液晶分 子の電場応答測定が不可欠です。 |
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| ■仕 様 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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