半導体デバイスにおいて、エピ膜厚、基板厚、エッチング残厚、液晶セルギャップなどの厚みはデバイス性能を大きく左右する主な要因の一つです。そのためデバイスを安定して供給する上で、製造プロセスでのこれらの厚さ管理は非常に重要な項目です。    日本分光の膜厚 測定装置は、最新の分光技術を応用した非破壊・非接触で、高速かつ高精度に膜厚を計測することが可能です。 本装置は高速マッピング、広い計測レンジ、洗練された操作環境など、膜厚計測において要求される仕様が高い次元で融合したシステムになっており、プロセスユースから開発・評価に至る幅広いニーズに対応します。    測定対象に合わせて近赤外モデル、中赤外モデルが用意されています。

計  測  方  式 FT/IR 干渉膜厚計測法を採用 測  定  配  置 反射配置 試  料  サ  イ  ズ 20 × 20 〜 1200 × 1200 μm 測 定 膜 厚 範 囲 0.25 μm 〜750 μm (Si の場合) 測 定 膜 厚 再 現 性 0.005 μm以下 (同一点繰返し測定時、Si の場合)