ラマン分光法による半導体の微小応力測定

シリコンなどの半導体材料に応力がかかっている場合、ピーク波数がわずかにシフトします。そのシフト値から応力の大きさが解析できます。上図のシリコンの例以外でも、SiC や GaN などに関しても同様の評価をすることができます。NRS-5500/7500 で Ne ランプとの同時測定を行うことで、高精度な応力測定ができます。
Ne ランプとの同時測定
波数補正用の Ne ランプが装置内部に標準搭載されています。サンプルと同時に測定することができ、Ne ランプの輝線スペクトルを基準に正確なピークシフトを取得できます。