100GHz~10THzの領域は光波と電波の境界に存在し、半導体、プラスチック、紙、ゴムなどの非金属や無極性物質を透過します。透過測定はもちろん、反射測定にも対応します。図1では、Z-cut Quartzの測定例を示します。また、FARIS-1では、THz領域のエミッション光の測定もできます。システムは完全真空筐体です。
テラヘルツ領域の光を用いた半導体ウェーハの物性評価が活発に行われています。
テラヘルツ領域の光を用いれば、低ドープのウェーハのプラズマ吸収が測定でき、通常LSIで利用されているウェーハの抵抗値の評価が可能となります。
一般的なシリコンウェーハをFARIS-1で測定した場合は、自由キャリアのみの吸収が得られ、結果としてドルーデの関係式よりキャリア密度や抵抗値を算出することが可能となります。
更に得られたスペクトルの干渉パターンからウェーハの厚みや膜の厚みを推定することも可能です。