モデル名 |
M-210 | M-220 | M-230 | M-240 | M-550 | ELC-300 |
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測定方法 | PEMデュアルロックイン方式、光サーボ/光リファレンス制御方式 | |||||
分光器 | - | ダブルモノクロ 自動波長駆動装置 |
ダブルモノクロ (260~900nm) シングルモノクロ (900~1700nm) 自動波長駆動装置 |
シングルモノクロ 自動波長駆動装置 |
ダブルモノクロ 自動波長駆動装置 |
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測定波長 | He-Neレーザ (632.8nm) |
He-Neレーザ (632.8nm) Xe光源 (260~860nm) |
He-Neレーザ (632.8nm) Xe光源 (240~700nm) |
He-Neレーザ (632.8nm) Xe光源 (260~900nm) ハロゲンランプ (900~1700nm) |
Xe光源 (350~800nm) |
He-Neレーザ (632.8nm) Xe光源 (260~860nm) |
入射角範囲 | 40°~90° 連続自動設定 (0.01°ステップ) |
45°~90° 連続自動設定 (0.01°ステップ) |
40°~90° 連続自動設定 (0.01°ステップ) |
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膜厚測定範囲 | 0~99999Å | |||||
測定時間 | 1msec以上 | 20µsec~16sec | ||||
測定精度* | 屈折率 ±0.01、膜厚 ±1Å、消衰係数 ±0.01 *精度は、測定時間100msec以上に関してのものです。また、表面状態、膜質により精度は異なります。 |
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試料室 | 試料垂直置き | 試料水平置き | 試料垂直置き | |||
検出系 | 検光子(グランテーラプリズム) 紫外可視域: 光電子増倍管、近赤外域: InGaAs-PINフォトダイオード(M-240) |
本体標準 |
1. 時間変化測定 2. 膜厚測定 3. Δ-Ψシミュレーション 4. スペクトル測定・解析*1 5. 誘電率計算*1 6. 反射率算出*1 *1 M-210は分光タイプではないので使用できません |
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オプションプログラム |
1. マッピング測定(自動X-θマッピングステージに付属) 2. 多層膜解析*2 3. 多入射角測定 4. 感度シミュレーション*2 5. リターデーションコーシースペクトル近似*3 6. 楕円率測定・解析、波長固定複屈折測定(異方性解析ステージに付属)*3 7. 3次元屈折率測定(異方性解析ステージが必要)*3 8. 光弾性定数測定(光弾性測定用透過ステージに付属)*3 *2 M-210は分光タイプではないので使用できません *3 M-550は透過測定ができないので使用できません |